晶圆抛光（晶圆抛光视频）

碳化硅晶圆粗抛光用什么抛光液?

在碳化硅晶圆粗磨工艺流程中，使用的是氧化铝抛光液。氧化铝抛光液与工件表面直接接触，不断地进行切削和磨削，从而提升硅晶圆表面抛光光洁度。氧化铝抛光液常适用于光学晶体和碳化硅表面抛光。

一般使用氧化铝抛光液粗研磨碳化硅晶圆。氧化铝抛光液属于一种常见磨料，硬度和磨削性能优异。氧化铝抛光液可适用于光学晶体、SiC表面抛光。这种抛光液直接与研磨表面接触，经过不断地切削和磨削，可提升硅晶圆表面抛光光洁度。

碳化硅晶圆抛光工艺流程是先粗抛后精抛。硅晶圆粗抛时用紫色高锰酸钾抛光液与碳化硅表面直接接触发生氧化反应，从而可将碳化硅表面氧化。硅晶圆精抛时可用硅溶胶抛光液。

碳化硅衬底粗磨时可使用氧化铝抛光液。抛光液直接接触工件表面，进行不断地磨削，提升硅晶圆表面抛光光洁度。在光学晶体和碳化硅表面抛光中常用到氧化铝抛光液。当碳化硅衬底精磨时可使用金刚石抛光液。

碳化硅抛光液：这种抛光液专门设计用于碳化硅的抛光工艺。它通常包含一些特殊的磨料和添加剂，能够在抛光过程中有效地去除碳化硅表面的缺陷，获得更平整的表面。

打磨抛光硅晶圆需经过粗磨、精磨、粗抛、精抛4道工艺流程。粗磨使用氧化铝抛光液+研磨垫进行研磨。精磨用金刚石抛光液+研磨垫进行研磨。粗抛则采用高锰酸钾抛光液+无纺布粗抛垫抛光。

为什么12寸晶元是双面抛光的

1、由于晶圆的背面不是抛光面而是磨砂面，为了确保颗粒(particle)性能，晶圆需要进行双面抛光工艺。

2、产业界所用的硅片都是双面抛光的了，如果你没见过，我告诉你硅片的样子看着就像中间没有洞洞的光盘。目前TSMC主要在用12寸晶圆，不断有说其在推进18寸晶圆。一块晶片上就可以加工得到许许多多相同的IC。

3、高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。

硅晶圆如何打磨抛光?

硅晶圆一般需经过4道工艺流程。第一步粗磨，使用氧化铝抛光液和研磨垫进行研磨，第二步精磨使用钻石抛光液搭配研磨垫研磨，第三步粗抛采用高锰酸钾抛光液搭配无纺布粗抛垫抛光。

一般使用氧化铝抛光液粗研磨碳化硅晶圆。氧化铝抛光液属于一种常见磨料，硬度和磨削性能优异。氧化铝抛光液可适用于光学晶体、SiC表面抛光。这种抛光液直接与研磨表面接触，经过不断地切削和磨削，可提升硅晶圆表面抛光光洁度。

碳化硅晶圆抛光工艺流程是先粗抛后精抛。硅晶圆粗抛时用紫色高锰酸钾抛光液与碳化硅表面直接接触发生氧化反应，从而可将碳化硅表面氧化。硅晶圆精抛时可用硅溶胶抛光液。

在碳化硅晶圆粗磨工艺流程中，使用的是氧化铝抛光液。氧化铝抛光液与工件表面直接接触，不断地进行切削和磨削，从而提升硅晶圆表面抛光光洁度。氧化铝抛光液常适用于光学晶体和碳化硅表面抛光。

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